中国自主研制高能氢离子注入机 提升半导体自主能力

（北京讯）中国自主研制首台串列型高能氢离子注入机，标志着在半导体领域的自主保障能力提升。新技术据称有望打破外企长期以来的垄断和技术封锁。

据中新社报道，中核集团中国原子能科学研究院星期六（1月17日）透露，首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，核心指标达到国际先进水平。

离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为晶片制造的四大核心装备，是半导体制造不可或缺的刚需设备。

有分析称，高能氢离子注入机的成功研制，标志着中国已全面掌握全链路研发技术，是核技术与半导体产业深度融合的成果，将提升中国在功率半导体等关键领域的自主保障能力。

长期以来，中国高能氢离子注入机完全依赖国外进口，由于研发难度大、技术壁垒高，成了制约中国战略性产业升级的瓶颈之一。