
(深圳路透电)据消息人士透露,中国科学家今年初在深圳一座高度保密的实验室,打造出一台极紫外光刻机(EUV)的原型机,目前正在测试阶段。这项被形容为中国的“曼哈顿计划”,目标是要让中国最终能够在完全自主研发的设备上制造先进晶片。
路透社星期四(12月18日)引述两名知情人士的消息报道,称这台原型机由荷兰半导体巨头阿斯麦(ASML)的前工程师团队,通过逆向工程开发而成。这台设备已经可以运作并成功产生极紫外光,但尚未生产出可用的晶片。
目前全世界只有阿斯麦掌握了极紫外光刻机的技术。今年4月,阿斯麦首席执行官克里斯托夫·富凯(Christophe Fouquet)表示,中国还需要“许多、许多年”才能掌握这类技术。
随着中国科学家已经成功打造出一台原型机,路透社报道指中国实现半导体自主的进程,可能比分析师预期的要快上好几年。
中国依旧面临的重大技术挑战,是复制西方供应商生产的精密光学系统。据两位知情人士透露,研发团队从二手市场上的阿斯麦旧设备取得零部件,成功打造原型机。
中国政府计划在2028年前,利用国产极紫外光刻机,生产出可用的晶片。但接近这个项目的人士表示,要到2030年才能实现;这仍比分析师预估所需的10年时间提前几年。
这个项目属于中国半导体战略的一环,由中共政治局常委、中央科技委员会主任丁薛祥负责统筹。据两位知情人士及第三方消息来源透露,华为协助在全国范围内协调企业与科研机构的数千名工程师,发挥着关键作用。
知情人士指这个项目堪称中国的“曼哈顿计划”,后者是美国当年为研制原子弹而实施的战时计划。其中一位人士表示,“目标是让中国最终能够在完全自主研发的设备上制造先进晶片,并且将美国全面踢出中国的供应链。”
华为、中国国务院、中国驻华盛顿大使馆及中国工业和信息化部,均未回应路透社相关询问。
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